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출원번호 :   12/388.846 출원일 : 2009.02.19
특허명
NANOCRYSTAL SILICON LAYER STRUCTURES FORMED USING PLASMA DEPOSITION TECHNIQUE METODS OF FORMING THE SAME NONVOLATILE MEMORY DEVICES HAVING THE NANOCRYSTAL SILICON LAYER STRUCTURES AND METHODS OF FABRICATING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICES
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